Транзистор: IPD122N10N3GATMA1
- Производитель: Infineon Technologies
- Доступность: На складе
- Код товара: 121612
- Минимальный заказ: 10 шт.
163.31 р.
 |
Гарантия Гарантируем полную работоспособность заказанного товара |
 |
Быстрая поставка Гарантируем минимальный срок доставки и полную комплектацию заказа |
 |
Большой ассортимент Мы подберем для вас все необходимые комплектующие |
Характеристики
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 12,2 |
| Емкость, пФ | 2500 |
| Заряд затвора, нКл | 26 |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Время | задержки включения/ выключения - 24/ 14 нс |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 94 Вт |
| Вес брутто | 0.55 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |
Описание
Транзистор: IPD122N10N3GATMA1 в наличии и под заказ, а также другие Транзисторы разные в каталоге ПромКипЭлектро.
Звоните или заказывайте Транзистор: IPD122N10N3GATMA1 через сайт.
Предлагаем оптовые цены при объемном заказе.
Если Транзистор: IPD122N10N3GATMA1 не в наличии, или вам нужна другая модель, то сообщите нам.
Мы найдем для вас нужный товар и сделаем поставку в кратчайший срок.
